卒業研究のご紹介
2021年版

電気電子系所属学生

Nb2O5コア層を用いた導波路の製作プロセスの検討

當真 祐沖縄県
工学部電気電子情報工学科2021年3月卒業
沖縄県立首里高等学校出身

研究の目的

1.はじめに
近年、急速に普及している光ネットワークでは波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)技術によって情報容量が増大している。そのため、WDMネットワークでキーデバイスとなる光スイッチなどの研究が盛んに行われている。本研究室ではこれまでに、導波路のコア材料として五酸化ニオブ(Nb2O5)を用いた光機能素子の研究を行ってきた。
本研究では、Nb2O5を用いた光機能素子の動作特性の定まった条件がないために、Nb2O5材料のドライエッチング条件の検討を行っている。導波路製作をするにあたり面内分布、垂直性、底面荒れの3つで評価を行う。今回、エッチング条件として RF(Radio Freqency)電力の検討を行い、導波路形状の改善が得られたので報告する。

研究内容や成果等

■ ドライエッチング条件の検討

ドライエッチング条件は先行研究を参考に500[nm]を削るのを目標に6つの条件を検討した。各条件でのSEM(Scanning Electron Microscope)観察、導波路形状の底面状態と垂直性を評価した表1と図1に示す。

表1 各基板評価

図1 SEM観察
表1から100[nm]あたりのエッチングした時の誤差はベース条件の(CF4:Ar=8:2[sccm],6[Pa],100[W])の誤差は8.37[nm]に対して(CF4:Ar=8:2[sccm],6[Pa],500[W])は8.27[nm]であった。さらに、SEM観察を行うと底面状態、垂直性といった評価から300[W]の状態が概ねどの条件下でも従来条件よりも良好である。

■ Cr除去と導波測定

今回、高RF電力でドライエッチングを行ったが、従来の硝酸二アンモニウムセリウムを含んだ溶液濃度8%のウェットエッチングに10分浸け置きではCr除去はされなかった。そこで、浸け置き時間を1時間に変更しウェットエッチングを行った。その結果Crの除去を確認した(図2)。

図2 Cr除去の確認
Crの除去後に5µm、2µmの導波路を測定した (図 3) 。その結果からもCr除去ができていることが確認できる。

図3 直線導波路の波長特性

■ まとめ

先行研究の条件を参考にRF電力の条件を変更してドライエッチング条件の調査を行った。
CF4:Ar=8:2[sccm]6[Pa]条件で300[W]以降の高電力では底面状態、垂直性はほぼ90°と良好な結果が得られた。
CF4:Ar=8:2[sccm]6[Pa]500[W]でも1時間硝酸二アンモニウムセリウムに浸け置くことでCrの除去を確認した。
CF4:Ar=8:2[sccm]6[Pa]500[W]で導波路特性、近視野を得られた。

■ 今後の課題

実験の再現性の確認と、より好条件の検討。
指導教員からのコメント 光機能デバイス研究室教授 中津原 克己
當真君は、当研究室で開発している様々な光機能デバイスの基本要素となる導波路の製作技術の向上に向けた研究を行いました。具体的には、光導波路の低損失化を実現するための微細加工技術の検討として、反応性イオンエッチングにおける様々な条件を実際に試し、その結果を電子顕微鏡観察によって詳細に観察しました。その地道な取り組みの成果として、これまで研究室では試みることがなかった高いRFパワーでのエッチングによって、凹凸の少ない平坦なエッチング面が得られることを明らかにしました。エッチング加工の保護マスクとして用いる金属のCr層が加工後に除去が困難になる問題が生じましたが、その解決策も示し、当研究室の微細加工技術の向上に大きな貢献を果たしました。卒業後、當真君には研究室で培った力を応用し、新たな分野においても挑戦する姿勢を持ち続け、周りの信頼を得ていく成果を上げることを期待しています。